Seoul, Korea - The private and public sectors will work together to develop source technology for future semiconductors. In order to take the lead in the next generation semiconductor market that includes relevant devices, equipment and materials, each of the private and public sectors is going to put in 50% of the investment to make the total amount of KRW 25 billion.
Korea Evaluation Institute of Industrial Technology (KEIT) has held a starting ceremony for a project of developing source technology for future semiconductor devices.
The purpose of the project is to develop core technologies related with future semiconductor devices that could be utilized by businesses in the medium and long term. 50% of KRW 250 will be subsidized by the government and the rest 50% will be invested by semiconductor device and equipment companies home and abroad for a five-year period. Samsung Electronics, SK Hynix, ASML Korea, Applied Materials Korea, Tokyo Electron Korea and Lam Research Korea are participating in the project from the private sector.
12 detailed tasks assigned are CMOS extension technology using III-V Channel or Tunnel FET, next generation related technologies including MRAM, DRAM, PCRAM, base technology for next generation memories, next generation BEOL (Back End of Line) technology based on optical connection or copper substitutes, hybrid integrated circuit technology, next generation atomic layer deposition (ALD) technology, epitaxy technology for next generation CMOS and technology of preventing and eliminating extreme ultraviolet mask defects. 250 experts from 32 universities and research institutes home and abroad are going to participate in the project.
민·관 공동투자해 미래 반도체 소자 원천기술 개발
민·관이 힘을 합쳐 미래 반도체 원천 기술개발에 나선다. 반도체 소자·장비·소재 전분야에 걸쳐 차세대 반도체 시장을 선점하기 위해 정부와 민간이 각각 50%씩 총 250억원을 투자한다.
한국산업기술평가관리원(KEIT, 원장 이기섭)은 서울 양재동 엘타워에서 `미래 반도체소자 원천기술개발사업 발대식 및 사업발표회`를 열었다.
중·장기적으로 산업계가 활용할 수 있는 미래반도체소자와 관련된 핵심 요소기술을 개발하는 사업이다. 정부 지원금 50%, 국내외 반도체 소자·장비 기업이 50%씩 출자해 5년간 250억원을 지원한다. 민간에서는 삼성전자·SK하이닉스·ASML코리아·어플라이드머티리얼즈코리아·도쿄일렉트론코리아·램리서치코리아가 참여했다.
12개 세부과제는 III-V채널 또는 터널펫(Tunnel FET)을 이용한 CMOS 연장 기술, 차세대 메모리용 M램·R램·PC램 기술, 차세대 메모리용 기반 기술, 광연결이나 구리 대체 물질을 이용한 차세대 BEOL(Back end of line) 기술, 하이브리드 집적회로 기술, 차세대 원자층증착(ALD) 기술, 차세대 CMOS를 위한 에피택시(epitaxy) 기술, 극자외선(EUV) 마스크 오염 방지 및 제거 기술 등이다. 올해 공고를 내고 주관 기관을 선정한다. 국내외 32개 학교·연구기관의 250여명이 참여할 예정이다.
설명회에는 최태현 산업부 국장, 이기섭 KEIT 원장, 양준철 한국반도체산업협회(KSIA) 부회장, 연구수행자 등 150여명이 참석했다.
오은지기자 onz@etnews.com
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[Reference] : http://english.etnews.com/device/2804632_1304.html